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PSMN3R9-25MLC,115
MOSFET, N-CH, 25V, 70 A, LFPAK33
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark05W5728
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.270 |
| 100+ | $0.838 |
| 500+ | $0.654 |
| 1000+ | $0.512 |
| 2500+ | $0.466 |
| 10000+ | $0.409 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.06
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R9-25MLC,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark05W5728
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6350µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.00635ohm
Diseño de TransistorSC-100
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.81V
Disipación de Potencia69W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00635ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
69W
Disipación de Potencia
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6350µohm
Diseño de Transistor
SC-100
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.81V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN3R9-25MLC,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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