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MRF101BN
RF FET TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF101BN
No. Parte Newark85AC2015
Rango de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Hoja de datos técnicos
611 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $35.760 |
| 5+ | $33.180 |
| 10+ | $30.610 |
| 25+ | $30.450 |
| 50+ | $28.430 |
| 100+ | $27.760 |
| 250+ | $26.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$35.76
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF101BN
No. Parte Newark85AC2015
Rango de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds133V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia182W
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.250MHz
Diseño de TransistorTO-220
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
133V
Disipación de Potencia
182W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
MRF101AN; MRF101BN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
250MHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto