Imprimir página
MRFE6VP5600HR5
Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $663.280 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 50
Múltiple: 50
$33,164.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP5600HR5
No. Parte Newark24T5453
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds130
Intensidad Drenador Continua Id100
Disipación de Potencia1.667
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8
Disipación de Potencia Pd1.667kW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600
Diseño de TransistorNI-1230
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFNI-1230
Temperatura de Trabajo Máx.225
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MRFE6VP5600HR5 is a 130V N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
130
Disipación de Potencia
1.667
Disipación de Potencia Pd
1.667kW
Diseño de Transistor
NI-1230
Encapsulado de Transistor RF
NI-1230
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
100
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto