Imprimir página
MRFE6VP6300HR5
RF FET, CANAL N, 130V, NI-780-4
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP6300HR5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31AC6675RL
Cinta adhesiva31AC6675
Su número de pieza
50 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $349.810 | $349.81 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $349.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $349.810 |
| 50+ | $280.010 |
| 100+ | $274.410 |
| 250+ | $268.810 |
| 500+ | $263.210 |
| 1000+ | $257.610 |
| 2500+ | $252.000 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP6300HR5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31AC6675RL
Cinta adhesiva31AC6675
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds130VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia1.05kW
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600MHz
Diseño de TransistorNI-780
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
130VDC
Disipación de Potencia
1.05kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
NI-780
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600MHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto