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FDA28N50F
MOSFET, N-CH, 500V, 28A, 150DEG C, 310W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA28N50FCopiar
No. Parte Newark54AH8612
Rango de ProductoUniFET FRFET
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA28N50FCopiar
No. Parte Newark54AH8612
Rango de ProductoUniFET FRFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id28A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia310W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoUniFET FRFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175ohm
Diseño de Transistor
TO-3PN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
UniFET FRFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
28A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
310W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto