Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82C2601RL
Cinta adhesiva82C2601
Su número de pieza
1,922 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.584 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.584 |
| 50+ | $0.281 |
| 100+ | $0.250 |
| 250+ | $0.223 |
| 500+ | $0.195 |
| 1000+ | $0.191 |
| 2500+ | $0.188 |
| 5000+ | $0.183 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82C2601RL
Cinta adhesiva82C2601
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDV305N es un MOSFET de canal N que utiliza un proceso PowerTrench® de alto voltaje. Ha sido optimizado para aplicaciones de protección de batería y interruptor de carga.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
900
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV305N
3 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
