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FDV305N
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5260
Re-reeling (Rollos a medida)82C2601
Cinta adhesiva82C2601
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.549 | $0.55 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.549 |
| 25+ | $0.350 |
| 50+ | $0.292 |
| 100+ | $0.234 |
| 250+ | $0.208 |
| 500+ | $0.183 |
| 1000+ | $0.166 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.113 |
| 6000+ | $0.107 |
| 12000+ | $0.101 |
| 18000+ | $0.098 |
| 30000+ | $0.094 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5260
Re-reeling (Rollos a medida)82C2601
Cinta adhesiva82C2601
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDV305N es un MOSFET de canal N que utiliza un proceso PowerTrench® de alto voltaje. Ha sido optimizado para aplicaciones de protección de batería y interruptor de carga.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV305N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto