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2N4401TAR
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark46AC2099
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.212 |
| 10+ | $0.149 |
| 100+ | $0.124 |
| 500+ | $0.095 |
| 1000+ | $0.086 |
| 4000+ | $0.062 |
| 10000+ | $0.053 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N4401TARCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark46AC2099
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Corriente del Colector Continua600
Corriente de Colector DC600mA
Disipación de Potencia Pd1.5W
Disipación de Potencia1.5
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición250
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente de Colector DC
600mA
Disipación de Potencia
1.5
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
250
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N4401TAR
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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