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2N5191G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5191GCopiar
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No. Parte Newark59M4754
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| 1000+ | $0.581 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5191GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark59M4754
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40
Diseño de TransistorTO-225AA
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-225AA
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia
40
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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