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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N6284G
No. Parte Newark26K5315
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua20A
Disipación de Potencia Pd160W
Corriente de Colector DC20A
Disipación de Potencia160W
Encapsulado de Transistor RFTO-3
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE2400hFE
Diseño de TransistorTO-204
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El 2N6284G es un transistor de potencia bipolar NPN Darlington con construcción monolítica, resistencias en derivación base-emisor incorporadas, diseñado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y amplificador de uso general.
- Alta ganancia de Corriente de CD
- Resistencia térmica de unión a carcasa de 1.09°C/W
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente del Colector Continua
20A
Corriente de Colector DC
20A
Encapsulado de Transistor RF
TO-3
Ganancia de Corriente DC hFE
2400hFE
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia Pd
160W
Disipación de Potencia
160W
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-204
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
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