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2N7000TA
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7000TACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5851RL
Cinta adhesiva31Y5851
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.626 | $3.13 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.626 |
| 10+ | $0.397 |
| 15+ | $0.363 |
| 25+ | $0.330 |
| 50+ | $0.297 |
| 125+ | $0.264 |
| 250+ | $0.235 |
| 500+ | $0.206 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7000TACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5851RL
Cinta adhesiva31Y5851
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.9
Disipación de Potencia400
Disipación de Potencia Pd400mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved inductive ruggedness
- Improved high temperature reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
400
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.9
Disipación de Potencia Pd
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7000TA
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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