Imprimir página
2N7002DW
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002DWCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05R0387
Cinta adhesiva05R0387
Su número de pieza
267,327 En Stock
¿Necesita más?
15327 Entrega en EE. UU. en 2-4 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
252000 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 6 p.m.
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $10.360 | $10.36 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $10.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.360 |
| 25+ | $6.480 |
| 50+ | $5.460 |
| 100+ | $4.420 |
| 250+ | $3.940 |
| 500+ | $3.460 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002DWCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05R0387
Cinta adhesiva05R0387
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P115
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.6
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200
Disipación de Potencia de Canal P200
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002DW es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que presenta baja resistencia, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja, velocidad de conmutación rápida y fugas de entrada/salida bajas.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
115
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.6
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.6
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002DW
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto