Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
8,070 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.107 |
25+ | $0.107 |
50+ | $0.107 |
100+ | $0.107 |
250+ | $0.107 |
500+ | $0.098 |
1000+ | $0.098 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.11
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002DW
No. Parte Newark05R0387
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El 2N7002DW es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que presenta baja resistencia, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja, velocidad de conmutación rápida y fugas de entrada/salida bajas.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
115mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.6ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200mW
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002DW
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto