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2N7002K
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6734
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5852RL
Cinta adhesiva31Y5852
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.354 | $0.35 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.354 |
| 50+ | $0.225 |
| 100+ | $0.148 |
| 250+ | $0.131 |
| 500+ | $0.113 |
| 1000+ | $0.103 |
| 2500+ | $0.101 |
| 5000+ | $0.099 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.084 |
| 9000+ | $0.078 |
| 15000+ | $0.077 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6734
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5852RL
Cinta adhesiva31Y5852
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002K es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que presenta baja resistencia, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja y velocidad de conmutación rápida.
- Fuga baja de entrada/salida
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002K
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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