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2N7002LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK1947
Re-reeling (Rollos a medida)39K1536RL
Cinta adhesiva39K1536
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.324 | $0.32 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.32 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.324 |
| 50+ | $0.149 |
| 100+ | $0.131 |
| 250+ | $0.116 |
| 500+ | $0.100 |
| 1000+ | $0.098 |
| 2500+ | $0.095 |
| 5000+ | $0.093 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.060 |
| 9000+ | $0.055 |
| 15000+ | $0.054 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK1947
Re-reeling (Rollos a medida)39K1536RL
Cinta adhesiva39K1536
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Resistencia de Activación Rds(on)7.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd200mW
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002LT1G es un MOSFET de pequeña señal de canal N de 60V capaz de disipar potencia de 300mW y una corriente de drenaje continua de 115mA.
- Sin Halógenos/libre de BFR
- Voltaje de puerta a fuente ±20VCD
- Voltaje de drenaje a compuerta de 60VCD
- Resistencia térmica 417°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
200mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza 2N7002LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto