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2SK932-24-TB-E
Transistor JFET, -15 V, 24 mA, -1.4 V, SC-59, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SK932-24-TB-E
No. Parte Newark42AC1864
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-15V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-15V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula7.3mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero24mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.4V
Diseño de TransistorSC-59
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-15V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
7.3mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-15V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
24mA
Diseño de Transistor
SC-59
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto