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2V7002LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2V7002LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2358
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7620RL
Cinta adhesiva81Y7620
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.350 | $0.35 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.350 |
| 50+ | $0.164 |
| 100+ | $0.145 |
| 250+ | $0.128 |
| 500+ | $0.111 |
| 1000+ | $0.109 |
| 2500+ | $0.107 |
| 5000+ | $0.105 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.081 |
| 9000+ | $0.074 |
| 15000+ | $0.073 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2V7002LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2358
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7620RL
Cinta adhesiva81Y7620
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Resistencia de Activación Rds(on)7.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd225mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia225mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2V7002LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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