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4N35S-M
Optoacouplador, Salida Transistor, 1 Canal, DIP Montaje Superficie, 6 Pines, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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979 En Stock
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante4N35S-M
No. Parte Newark67K2285
Hoja de datos técnicos
No. de Canales1 Canal
Estilo de la Carcasa del OptoacopladorDIP Montaje Superficie
No. de Pines6Pines
Corriente Directa If Máx.60mA
Voltaje de Aislamiento7.5kV
CTR Mín.100%
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Alternativas para el número de pieza 4N35S-M
3 productos encontrados
Resumen del producto
El 4N35S-M es un optoacoplador de fototransistor de propósito general que consiste en un diodo emisor de infrarrojos que contiene arseniuro de galio y maneja un fototransistor de silicio. Es adecuado para entradas lógicas digitales y entradas de microprocesador.
- Es adecuado para entradas lógicas digitales y entradas de microprocesador.
- Alto voltaje admisible de 6000V
- Rango de temperatura de operación entre -40 y +100°C
Especificaciones técnicas
No. de Canales
1 Canal
No. de Pines
6Pines
Voltaje de Aislamiento
7.5kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Estilo de la Carcasa del Optoacoplador
DIP Montaje Superficie
Corriente Directa If Máx.
60mA
CTR Mín.
100%
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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