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4N35S-M
Optoacouplador, Salida Transistor, 1 Canal, DIP Montaje Superficie, 6 Pines, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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| 500+ | $0.350 |
| 1000+ | $0.329 |
| 3000+ | $0.312 |
| 10000+ | $0.280 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante4N35S-MCopiar
No. Parte Newark67K2285
Hoja de datos técnicos
No. de Canales1 Canal
Estilo de la Carcasa del OptoacopladorDIP Montaje Superficie
No. de Pines6Pines
Corriente Directa If Máx.60
Voltaje de Aislamiento7.5
CTR Mín.100
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Alternativas para el número de pieza 4N35S-M
4 productos encontrados
Resumen del producto
El 4N35S-M es un optoacoplador de fototransistor de propósito general que consiste en un diodo emisor de infrarrojos que contiene arseniuro de galio y maneja un fototransistor de silicio. Es adecuado para entradas lógicas digitales y entradas de microprocesador.
- Es adecuado para entradas lógicas digitales y entradas de microprocesador.
- Alto voltaje admisible de 6000V
- Rango de temperatura de operación entre -40 y +100°C
Especificaciones técnicas
No. de Canales
1 Canal
No. de Pines
6Pines
Voltaje de Aislamiento
7.5
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Estilo de la Carcasa del Optoacoplador
DIP Montaje Superficie
Corriente Directa If Máx.
60
CTR Mín.
100
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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