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ATP302-TL-H
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 70 A, 0.013 ohm, ATPAK, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteATP302-TL-HCopiar
No. Parte Newark13AC6082
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0.01ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd70W
Diseño de TransistorATPAK
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia de Activación Rds(on)
0.01ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
ATPAK
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto