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BC63916-D27Z
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC63916-D27Z
No. Parte Newark31Y0502
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia830
Disipación de Potencia Pd830mW
Corriente de Colector DC1A
Diseño de TransistorTO-92
Ganancia de Corriente DC hFE25hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza BC63916-D27Z
2 productos encontrados
Resumen del producto
The BC63916_D27Z is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in switching and amplifier applications.
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Disipación de Potencia
830
Corriente de Colector DC
1A
Ganancia de Corriente DC hFE
25hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia Pd
830mW
Diseño de Transistor
TO-92
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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