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BC847BDW1T3G
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 100 mA, 380 mW
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC847BDW1T3G
No. Parte Newark81Y5864
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor45V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua100mA
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN380mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorSOT-363
Núm. de Contactos6Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN100MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
Núm. de Contactos
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
45V
Corriente NPN de Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia NPN
380mW
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200hFE
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
100MHz
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BC847BDW1T3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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