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BD439G
TRANSISTOR, NPN, 60V, 4A, TO-225
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD439G
No. Parte Newark50AC4849
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia36W
Diseño de TransistorTO-225
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.20hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
20hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia
36W
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
3MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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