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BD681G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD681G.Copiar
No. Parte Newark37K9450
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd40W
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC4A
Encapsulado de Transistor RFTO-225
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE750hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-225
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia Pd
40W
Corriente de Colector DC
4A
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
750hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BD681G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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