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BDV64BG
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBDV64BGCopiar
No. Parte Newark37K9413
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Frecuencia de Transición0
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia Pd125W
Corriente de Colector DC10A
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-247
Diseño de Transistor0
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
10A
Encapsulado de Transistor RF
TO-247
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
0
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
0
Diseño de Transistor
0
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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