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BF720T1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 100 mA, 1.5 W, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBF720T1G.Copiar
No. Parte Newark25AC6336
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo300V
Voltaje Máx. Colector a Emisor300
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia Pd1.5W
Disipación de Potencia1.5
Corriente de Colector DC100mA
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición60
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
300
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Corriente de Colector DC
100mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
300V
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia
1.5
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Diseño de Transistor
SOT-223
Frecuencia de Transición
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BF720T1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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