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BSS138LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo94W7569
Re-reeling (Rollos a medida)58M4068RL
Cinta adhesiva58M4068
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.368 | $1.84 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.368 |
| 50+ | $0.231 |
| 100+ | $0.149 |
| 250+ | $0.133 |
| 500+ | $0.114 |
| 1000+ | $0.103 |
| 2500+ | $0.101 |
| 5000+ | $0.099 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.084 |
| 9000+ | $0.077 |
| 15000+ | $0.076 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo94W7569
Re-reeling (Rollos a medida)58M4068RL
Cinta adhesiva58M4068
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia225mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS138LT1G is a N-channel Power MOSFET designed for use in DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low threshold voltage VGS (th) = 0.5 to 1.5V
- Miniature SOT-23 surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS138LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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