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BSS84
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K8770
Cinta adhesiva58K8770
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.397 | $0.40 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.397 |
| 25+ | $0.246 |
| 50+ | $0.200 |
| 100+ | $0.153 |
| 250+ | $0.135 |
| 500+ | $0.114 |
| 1000+ | $0.101 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K8770
Cinta adhesiva58K8770
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS84 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal P en paquete SOT-23. Este producto está diseñado para minimizar la resistencia del estado mientras proporciona un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente, por lo tanto, BSS84 es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, baja corriente y conmutación.
- Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por voltaje
- Diseño de celda de alta densidad para baja Rds (encendido)
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -50V
- Voltaje de fuente de puerta de ± 20V
- Baja resistencia al estado de 3.5ohm a Vgs de 10V
- Corriente continua de drenaje de -130mA
- Potencia de disipación máxima de 360mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS84
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto