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BSS84LT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo37AH9124
Re-reeling (Rollos a medida)98H0511
Cinta adhesiva98H0511
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755,532 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.311 | $0.31 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.31 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.311 |
| 25+ | $0.172 |
| 50+ | $0.149 |
| 100+ | $0.125 |
| 250+ | $0.118 |
| 500+ | $0.110 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.037 |
| 6000+ | $0.036 |
| 24000+ | $0.035 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo37AH9124
Re-reeling (Rollos a medida)98H0511
Cinta adhesiva98H0511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)10ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd225mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS84LT1G es un MOSFET de potencia de canal P calificado para AEC Q101 y compatible con PPAP. Es adecuado para convertidores CD-CD y aplicaciones de conmutación de carga.
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
10ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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