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BUV21G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-3-2
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBUV21G
No. Parte Newark82Y6213
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor200V
Corriente del Colector Continua40A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia250W
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-3
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines2Pines
Frecuencia de Transición8MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
200V
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
2Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
40A
Disipación de Potencia
250W
Diseño de Transistor
TO-3
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
8MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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US ECCN:Unknown
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