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FDA24N40F
MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 400
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA24N40FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark95W3147
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.000 |
| 10+ | $4.420 |
| 25+ | $3.960 |
| 50+ | $3.770 |
| 100+ | $3.370 |
| 250+ | $2.940 |
| 500+ | $2.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA24N40FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark95W3147
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia235W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-3PN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
235W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDA24N40F
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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