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FDB045AN08A0
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 80 A, 0.0045 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB045AN08A0Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15AN2193
Re-reeling (Rollos a medida)28H9655
Cinta adhesiva28H9655
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5,185 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.700 | $5.70 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.700 |
| 10+ | $4.010 |
| 25+ | $3.690 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.290 |
| 2+ | $2.200 |
| 4+ | $2.060 |
| 6+ | $1.900 |
| 10+ | $1.830 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB045AN08A0Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15AN2193
Re-reeling (Rollos a medida)28H9655
Cinta adhesiva28H9655
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd310W
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia310W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDB045AN08A0 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Es adecuado para su uso en la rectificación síncrona para la fuente de alimentación ATX/servidor/telecomunicaciones y el circuito de protección de la batería.
- Baja carga de molinero
- Diodo de cuerpo Qrr bajo
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0045ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
310W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
310W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDB045AN08A0
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto