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FDB13AN06A0
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB13AN06A0
No. Parte Newark50H4190
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0135
Resistencia de Activación Rds(on)0.0135ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd115W
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0135
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0135ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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