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FDC2612
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark31Y1343
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.240 |
| 10+ | $0.782 |
| 25+ | $0.693 |
| 50+ | $0.604 |
| 100+ | $0.513 |
| 250+ | $0.457 |
| 500+ | $0.399 |
| 1000+ | $0.362 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC2612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark31Y1343
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id1.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.605ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.605
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC2612 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Alta velocidad de conmutación
- Carga de puerta baja típica de 8nC
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.605ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.605
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto