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FDC6303N
MOSFET DUAL,CAN N, 25V, 680MA, 0.45 OHM
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6303NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2028
Hilado completo85AC1770
Re-reeling (Rollos a medida)58M6619RL
Cinta adhesiva58M6619
Su número de pieza
117,478 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.810 | $0.81 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.810 |
| 50+ | $0.505 |
| 100+ | $0.325 |
| 250+ | $0.286 |
| 500+ | $0.247 |
| 1000+ | $0.223 |
| 2500+ | $0.218 |
| 5000+ | $0.214 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.236 |
| 6000+ | $0.251 |
| 9000+ | $0.222 |
| 12000+ | $0.229 |
| 15000+ | $0.217 |
| 18000+ | $0.216 |
| 30000+ | $0.202 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6303NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2028
Hilado completo85AC1770
Re-reeling (Rollos a medida)58M6619RL
Cinta adhesiva58M6619
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N680
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.45
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
680
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.45
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6303N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto