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FDC6312P
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 2.3 A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6312PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark67R2031
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.408 |
| 9000+ | $0.385 |
| 15000+ | $0.377 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,224.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6312PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark67R2031
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id2.3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.115
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P960
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC6312P es un MOSFET de doble canal P producido utilizando el avanzado proceso PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Huella pequeña
- Perfil bajo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Corriente continua de drenaje/salida -2.3A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 7A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.115
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6312P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto