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FDC640P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.5 A, 53 mohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC640PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark34C0112
Su número de pieza
18,000 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.291 |
| 6000+ | $0.287 |
| 12000+ | $0.282 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$873.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC640PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark34C0112
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente53
Resistencia de Activación Rds(on)0.039ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC640P es un MOSFET de canal P especificado de 2.5V que utiliza una versión de puerta resistente del proceso avanzado PowerTrench®. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía con un amplio rango de voltaje de accionamiento de puerta (2.5 a 12V).
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
53
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.039ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC640P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto