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FDC653N
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 30 V,
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC653NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2042
Re-reeling (Rollos a medida)58M6623RL
Cinta adhesiva58M6623
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1,807 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.330 | $6.65 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.65 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.330 |
| 50+ | $0.835 |
| 100+ | $0.514 |
| 250+ | $0.464 |
| 500+ | $0.414 |
| 1000+ | $0.359 |
| 2500+ | $0.339 |
| 5000+ | $0.318 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.325 |
| 6000+ | $0.312 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC653NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2042
Re-reeling (Rollos a medida)58M6623RL
Cinta adhesiva58M6623
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC653N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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