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FDC655BN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo64K0963
Re-reeling (Rollos a medida)15R3422RL
Cinta adhesiva15R3422
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1,504 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.875 | $0.88 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.875 |
| 50+ | $0.561 |
| 100+ | $0.381 |
| 250+ | $0.342 |
| 500+ | $0.303 |
| 1000+ | $0.278 |
| 2500+ | $0.272 |
| 5000+ | $0.267 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.229 |
| 9000+ | $0.214 |
| 15000+ | $0.210 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo64K0963
Re-reeling (Rollos a medida)15R3422RL
Cinta adhesiva15R3422
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC655BN es un MOSFET de canal N único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para aplicaciones de baja tensión y alimentadas por batería, donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida.
- Conmutación rápida
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC655BN
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto