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FDC658AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 mA, 0.05 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC658APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9533
Re-reeling (Rollos a medida)15R3423
Cinta adhesiva15R3423
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38,940 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.030 | $1.03 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.03 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 25+ | $0.806 |
| 50+ | $0.683 |
| 100+ | $0.584 |
| 250+ | $0.502 |
| 500+ | $0.437 |
| 1000+ | $0.369 |
| 2500+ | $0.324 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.280 |
| 6000+ | $0.274 |
| 12000+ | $0.260 |
| 18000+ | $0.257 |
| 30000+ | $0.253 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC658APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9533
Re-reeling (Rollos a medida)15R3423
Cinta adhesiva15R3423
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC658AP es un MOSFET de canal P único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha optimizado para la administración de energía de la batería, el interruptor de carga y las aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC658AP
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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