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FDC8601
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 2.7 A, 0.109 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC8601Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo92R5520
Cinta adhesiva85W3137
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $1.010 | $3,030.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3,030.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.010 |
| 6000+ | $0.986 |
| 9000+ | $0.966 |
| 15000+ | $0.946 |
| 30000+ | $0.925 |
| 75000+ | $0.905 |
| 150000+ | $0.885 |
| 300000+ | $0.865 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.877 |
| 9000+ | $0.850 |
| 15000+ | $0.833 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC8601Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo92R5520
Cinta adhesiva85W3137
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id2.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.086ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.109
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC8601 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Es adecuado para su uso en aplicaciones de interruptor de carga, rectificador síncrono e interruptor primario.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Alta velocidad de conmutación
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.086ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.109
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto