Imprimir página
FDD8444
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 145 A, 0.004 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8444Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark85W3139
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.986 |
| 5000+ | $0.966 |
| 7500+ | $0.947 |
| 12500+ | $0.926 |
| 25000+ | $0.907 |
| 62500+ | $0.887 |
| 125000+ | $0.867 |
| 250000+ | $0.848 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,465.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8444Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark85W3139
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id145
Resistencia de Activación Rds(on)0.004ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd153W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia153
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD8444 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Es adecuado para aplicaciones de transmisión electrónica, arquitectura de energía distribuida y VRM.
- Baja carga de molinero
- Diodo de cuerpo Qrr bajo
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
- Calificado para AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.004ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
153W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
145
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
153
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto