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FDMC3612
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.11 ohm, WDFN, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark88T3260
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $0.909 |
| 100+ | $0.601 |
| 500+ | $0.469 |
| 1000+ | $0.425 |
| 2500+ | $0.417 |
| 10000+ | $0.408 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark88T3260
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia35
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDMC3612
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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