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FDMC6679AZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 20 A, 8.6 mohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC6679AZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3264
Cinta adhesiva88T3264
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.150 | $2.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.380 |
| 25+ | $1.220 |
| 50+ | $1.070 |
| 100+ | $0.924 |
| 250+ | $0.829 |
| 500+ | $0.733 |
| 1000+ | $0.672 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC6679AZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3264
Cinta adhesiva88T3264
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.0086ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd41W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia41
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC6679AZ es un MOSFET de canal P producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado para minimizar las pérdidas en aplicaciones de interruptores de carga. Los avances en las tecnologías de paquete y silicio se han combinado para ofrecer la protección RDS (ON) y ESD más baja. Es adecuado para aplicaciones de interruptores de carga y paquetes de baterías.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Nivel de protección ESD típico de HBM de 8kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0086ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
41W
Disipación de Potencia
41
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.6
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMC6679AZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto