Imprimir página
FDMC7660DC
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 A, 0.0022 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 7 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 25+ | $1.730 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$5,190.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC7660DC
No. Parte Newark28T0533
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0022
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDual Cool 33
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDMC7660DC es un MOSFET de doble canal N Cool™ producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Los avances en las tecnologías de paquetes de silicio y Dual Cool™ se combinaron para ofrecer los Id (encendidos) más bajos y, al mismo tiempo, mantener un excelente rendimiento de conmutación mediante una resistencia térmica extremadamente baja entre la unión y el ambiente. El dispositivo es adecuado para usar con rectificador síncrono para convertidores de CD a CD, rectificación del lado secundario de telecomunicaciones y aplicaciones de estación de trabajo/servidor de gama alta.
- Tecnología de alto rendimiento para un RDS (ON) extremadamente bajo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje pulsada 200mA
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
30
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0022
Diseño de Transistor
Dual Cool 33
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto