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FDMC8200
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 8 A, 0.016 ohm
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark73R3649
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21,000 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.587 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,761.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark73R3649
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.016
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPower 33
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC8200 es un MOSFET de canal N dual PowerTrench® en un paquete Power33 dual. El nodo de conmutación se ha conectado internamente para permitir una fácil colocación y enrutamiento de convertidores reductores síncronos. El MOSFET de control (Q1) y el MOSFET síncrono (Q2) se han diseñado para proporcionar una eficiencia energética óptima. El dispositivo es adecuado para usar con computación móvil, dispositivos móviles de Internet y aplicaciones de punto de carga de propósito general.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.016
Diseño de Transistor
Power 33
Disipación de Potencia de Canal N
2.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto