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FDN335N
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.7 A, 70 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN335NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K1462
Cinta adhesiva58K1462
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.761 | $0.76 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.76 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.761 |
| 25+ | $0.469 |
| 50+ | $0.386 |
| 100+ | $0.301 |
| 250+ | $0.266 |
| 500+ | $0.229 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN335NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K1462
Cinta adhesiva58K1462
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN335N es un MOSFET especificado de 2.5V de canal N que utiliza un avanzado proceso PowerTrench® que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior.
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN335N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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