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FDN337N
MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 30
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN337NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96W6883
Re-reeling (Rollos a medida)25M9458RL
Cinta adhesiva25M9458
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.935 | $0.94 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.935 |
| 50+ | $0.579 |
| 100+ | $0.374 |
| 250+ | $0.331 |
| 500+ | $0.286 |
| 1000+ | $0.258 |
| 2500+ | $0.252 |
| 5000+ | $0.247 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.208 |
| 9000+ | $0.191 |
| 15000+ | $0.187 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN337NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96W6883
Re-reeling (Rollos a medida)25M9458RL
Cinta adhesiva25M9458
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN337N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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