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FDN352AP
MOSFET POT, CANAL P, 30V, 1.3A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5242
Re-reeling (Rollos a medida)58M6632RL
Cinta adhesiva58M6632
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60,087 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.790 | $0.79 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.790 |
| 50+ | $0.489 |
| 100+ | $0.314 |
| 250+ | $0.277 |
| 500+ | $0.239 |
| 1000+ | $0.214 |
| 2500+ | $0.210 |
| 5000+ | $0.206 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.267 |
| 6000+ | $0.239 |
| 12000+ | $0.219 |
| 18000+ | $0.206 |
| 30000+ | $0.192 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5242
Re-reeling (Rollos a medida)58M6632RL
Cinta adhesiva58M6632
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN352AP
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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