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FDN86246
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 1.6 A, 0.261 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark88T3351
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.260 |
| 50+ | $1.440 |
| 100+ | $0.971 |
| 250+ | $0.871 |
| 500+ | $0.772 |
| 1000+ | $0.708 |
| 2500+ | $0.694 |
| 5000+ | $0.679 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN86246Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark88T3351
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.261ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.261ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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