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FDP61N20
MOSFET, N, TO-220
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark04M9105
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 10+ | $3.240 |
| 100+ | $2.200 |
| 500+ | $1.890 |
| 1000+ | $1.780 |
| 2500+ | $1.720 |
| 5000+ | $1.690 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark04M9105
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id61A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia417W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
417W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
61A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDP61N20
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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